ATI Radeon и NVIDIA GeForce: вопросы, проблемы, решения - Сторінка 149

Teoden · 05-01-2008, 21:40

Цитата:

Повідомлення від freedom

Чьос

пра транзістор....

аргументируй

Житель_Планеты_Земля · 05-01-2008, 21:40

Ну, значит, если не удастся прогрессировать в области уменьшения техпроцесса изготовления "гпу", тогда будут эксперементировать с различными материалами... наверное...

dima_stalker.net · 05-01-2008, 21:42

Цитата:

Повідомлення від Житель_Планеты_Земля

Ну, значит, если не удастся прогрессировать в области уменьшения техпроцесса изготовления "гпу", тогда будут эксперементировать с различными материалами... наверное...

с арсенитом галия

Teoden · 05-01-2008, 21:42

Цитата:

Повідомлення від Житель_Планеты_Земля

Ну, значит, если не удастся прогрессировать в области уменьшения техпроцесса изготовления "гпу", тогда будут эксперементировать с различными материалами... наверное...

там нада шота кардинально новое придумывать

кста что бы коры перевести на 45 нм техпроцесс им пришлось делать не кремнеевые а германиевые пластины( что намного дороже)
тоесть експерименты дают немного
слышал что порог толи 35 толи 25 точно нипомню
дальше никакой материал уже не поможет

Житель_Планеты_Земля · 05-01-2008, 21:44

Цитата:

Повідомлення від dima_stalker.net

с арсенитом галия

Не важно с чем.
Главное, что бы был потенциал для развития и получения в будущем еще больших мощностей и производительности и уменьшения материальных затрат на изготовление одной еденицы продукции. А то перегнули нВидиа палочку со своей "ульта" за 900 уёв...

freedom · 05-01-2008, 21:46

Цитата:

Повідомлення від Teoden

аргументируй

Транзістор якщо матеріал не міняється споживає туж потужність але коли вони як найщільніше упаковані(техпроцес це розмір окремого елемента) зменшуються токи втрат кристала взагальному...І площа кристала використовується ефективніше...

dima_stalker.net · 05-01-2008, 21:48

Цитата:

Повідомлення від Житель_Планеты_Земля

Не важно с чем.
Главное, что бы был потенциал для развития и получения в будущем еще больших мощностей и производительности и уменьшения материальных затрат на изготовление одной еденицы продукции. А то перегнули нВидиа палочку со своей "ульта" за 900 уёв...

я же говорю GaAs . этот материал теоретически должен выдавать более 50 ггц . но он очень дорог

Teoden · 05-01-2008, 21:49

Цитата:

Повідомлення від freedom

Транзістор якщо матеріал не міняється споживає туж потужність але коли вони як найщільніше упаковані(техпроцес це розмір окремого елемента) зменшуються токи втрат кристала взагальному...І площа кристала використовується ефективніше...

ты крут)
то я аб них и гаварил
бо транзистар ток на них и может енергию тратить

freedom · 05-01-2008, 21:52

Цитата:

Повідомлення від Teoden

там нада шота кардинально новое придумывать

кста что бы коры перевести на 45 нм техпроцесс им пришлось делать не кремнеевые а германиевые пластины( что намного дороже)
тоесть експерименты дают немного
слышал что порог толи 35 толи 25 точно нипомню
дальше никакой материал уже не поможет

Нє пластіни вони не міняли, поміняли діалєктрік...

Цитата:

Сложно оценивать, легко ли дался Intel переход на следующую ступеньку минитюаризации транзисторов. Если судить по итоговому результату в виде QX9650, то никаких проблем не возникло – производительность, энергопотребление и частотный потенциал улучшились по сравнению с предыдущим поколением. Но с точки зрения инженера 45 нм явно оказались «крепким орешком». Для того чтобы реализовать этот техпроцесс, разработчикам пришлось изменить одну из фундаментальных характеристик – материалы, применяемые в производстве. Вместо используемого с 1960-х годов оксида кремния в качестве диэлектрика взят силицид гафния – изолятор с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k). А затвор транзистора выполнен из металла вместо поликристаллического кремния. Благодаря этому удалось решить ключевую проблему – миниатюризация транзисторов привела к невозможности дальнейшего эффективного использования оксида кремния в качестве диэлектрика. Попутно существенно (в 5–10 раз) были снижены токи утечек. Важно, что для производства по 45-нанометровому техпроцессу по-прежнему применяются 300-миллиметровые пластины и 193-нанометровая литография, что означает отсутствие необходимости обширных модернизаций фабричных мощностей. На сегодняшний день техпроцесс освоен двумя фабриками: опытные партии изготовлялись на D1D в Орегоне, а серийные CPU начали выпускать на Fab 32 (штат Аризона). В следующем году к списку добавятся еще Fab 11x в штате Нью-Мексико и израильская Fab 28 (Кирьят-Гат).

Что касается практических преимуществ нового процесса, то они традиционны – повышение производительности, улучшение частотного потенциала, снижение энергопотребления, уменьшение габаритов ядра (сравните: кристалл Conroe с 290 млн транзисторов занимает 143 кв. мм, а Wolfdale при 410 млн – 107 кв. мм).

Teoden · 05-01-2008, 21:53

Цитата:

Повідомлення від freedom

Нє пластіни вони не міняли, поміняли діалєктрік...

паминялась структура пластины

а диэлектрик это и есть кремний на германий
шо ты к славам прикалупуежся

суть правильная
и писал я эта без интернета

View Poll Results: Что рулит???
ATI Radeon	155	42.58%
NVIDIA GeForce	191	52.47%
Другой вариант(какой?)	3	0.82%
Не знаю	15	4.12%
Ті, хто голосували: 364. You may not vote on this poll

05-01-2008, 21:40	#1482
Житель_Планеты_Земля Гуру Реєстрація: Apr 2005 Адреса: ..... Повідомлення: 5,009	Ну, значит, если не удастся прогрессировать в области уменьшения техпроцесса изготовления "гпу", тогда будут эксперементировать с различными материалами... наверное... __________________ GOD'S IN HIS HEAVEN. ALL RIGHT WITH THE WORLD.